专利

专利名称：一种具有低相位噪声的高频压控振荡器
专利号：201210387643.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-10-12
专利名称：一种具有大调谐范围的高频压控振荡器
专利号：201210388582.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-10-12
专利名称：一种电容倍增器
专利号：201210293128.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-08-16
专利名称：一种集成低噪声压控振荡器
专利号：201210360745.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-09-21
专利名称：一种低噪声压控振荡器
专利号：201210357240.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-09-21
专利名称：一种低噪声放大器的元件参数确定方法及低噪声放大器
专利号：201110388137.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-11-29
专利名称：优化版图栅长的方法及其装置
专利号：201210062173.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-03-09
专利名称：栅长可调的标准单元版图设计方法及其装置
专利号：201210062312.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-03-09
专利名称：一种电压源电路
专利号：201210167250.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-05-25
专利名称：一种电流源电路
专利号：201210156981.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-05-18
专利名称：过压检测电路
专利号：ZL201110391552.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-11-30
专利名称：面向电路微调加速电路仿真的计算复用方法、设备和系统
专利号：ZL201110460629.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-31
专利名称：高电压开关电路
专利号：ZL201110390716.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-11-30
专利名称：对精简标准单元库进行优化的方法
专利号：ZL201110082736.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-04-01
专利名称：一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
专利号：PCT/CN2012/086887
专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
时间：2012-12-18
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