专利
专利名称：一种相变存储器
专利号：201210193028.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-06-12
专利名称：Phase-change storage unit containing TiSiN material layer and method for preparing the same
专利号：US9276202
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-12-27
专利名称：Mask read-only memory array,memory device,and fabrication method thereof
专利号：US 20160293614
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2016-03-03
专利名称：Phase-change storage unit for replacing DRAM and FLASH and manufacturing method thereof
专利号：US9362493
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-12-28
专利名称：Method of preventing auto-doping during epitaxial layer growth by cleaning the reaction chamber with hydrogen chloride
专利号：US9334583
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-06-27
专利名称：Data readout circuit of phase change memory
专利号：US8947924
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-06-24
专利名称：Al-Sb-Te phase change material used for phase change memory and fabrication method thereof
专利号： US8920684
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-06-24
专利名称：Phase change memory structure having low-k dielectric heat-insulating material and fabrication method thereof
专利号：US08722455
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-06-24
专利名称：Method for cleaning a polishing pad
专利号：US08721401
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-06-17
专利名称：Semiconductor device manufacturing method
专利号：US08586405
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2012-02-09
专利名称：Phase change memory and method for fabricating the same
专利号： US08481348
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-07-05
专利名称：Method of fabricating dual shallow trench isolated epitaxal diode array
专利号：US08476085
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-06-23
专利名称：多层单元固态硬盘的存储管理方法
专利号：ZL 201410440438.1
专利权人：上海新储集成电路有限公司
时间：2014-09-01
专利名称：一种南桥芯片及其应用方法
专利号：ZL 201410186552.6
专利权人：上海新储集成电路有限公司
时间：2014-05-05
专利名称：一种安全主板及其应用方法
专利号：ZL 201410175218.0
专利权人：上海新储集成电路有限公司
时间：2014-04-28
