专利
专利名称：CMOS DEVICE HAVING DUAL METAL GATES AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
专利号：13/496,477
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-03-15
专利名称：Semiconductor Device and Manufacturing Method thereof
专利号：13/497，249
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-03-20
专利名称：Semiconductor Device and Manufacturing Method thereof
专利号：13/394，809
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-03-07
专利名称：SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
专利号：13/380,482
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-22
专利名称：SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FORMANUFACTURING THE SAME
专利号：13/379,407
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-20
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
专利号：13/377,766
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-12
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
专利号：13/378,253
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-14
专利名称：SUBSTRATE STURCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
专利号：13/376,731
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-07
专利名称：Etch-back method for planarization at the position-near-interface of an interlayer dielectric
专利号：13/381,005
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-27
专利名称：TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
专利号：13/509,998
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-05-16
专利名称：TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING TRANSISTOR, AND SEMICONDUCTOR CHIP COMPRISING THE TRANSISTOR
专利号：13/378,997
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-16
专利名称：Semiconductor device and method for manufacturing the same
专利号：13/378,996
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-16
专利名称：Semiconductor device and method for manufacturing the same
专利号：13/380,806
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-23
专利名称：MOSFET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
专利号：13/379,444
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-20
专利名称：METHOD FOR INTEGRATING REPLACEMENT GATE IN SEMICONDUCTOR DEVICE
专利号：13/379,169
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-19
