专利
专利名称：Transistor and Method for Forming the Same
专利号：13/112,993
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-20
专利名称：Transistor and Method for Forming the Same
专利号：13/111,875
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-19
专利名称：Transistor and Method for Forming the Same
专利号：13/112,989
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-20
专利名称：METHOD FOR INTEGRATION OF DUAL METAL GATES AND DUAL HIGH-K DIELECTRICS IN CMOS DEVICES
专利号：13/129,743
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-17
专利名称：ULTRA-THIN BODY TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
专利号：13/132,535
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-02
专利名称：method for REMOVing polymer after etching gate stack structure of HIGH-k GATE DIELECTRIC/metal gate
专利号：13/130,514
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-20
专利名称：METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS
专利号：13/129,584
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-17
专利名称：SHALLOW TRENCH ISOLATION structure AND METHOD FOR Forming the same
专利号：13/132,068
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-31
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
专利号：13/129,321
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-13
专利名称：Transistor and Method for Forming the Same
专利号：13/107,860
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-13
专利名称：DEVICE HAVING ADJUSTABLE CHANNEL STRESS AND METHOD THEREOF
专利号：13/108,742
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-16
专利名称：METHOD FOR MANUFACTURING CONTACT HOLES IN CMOS DEVICE USING GATE-LAST PROCESS
专利号：13/141,982
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-23
专利名称：P-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
专利号：13/125,710
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-04-22
专利名称：METHOD FOR IMPROVING ELECTRON-BEAM EXPOSURE EFFICIENCY
专利号：13/123,070
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-04-07
专利名称：SHALLOW TRENCH ISOLATION STRUCCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
专利号：13/119,004
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-03-15
