专利
专利名称：METHOD FOR FORMING CHANNEL MATERIAL
专利号：12/999,380
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-16
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
专利号：12/997,766
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-13
专利名称：Semiconductor Structure and Method of Manufacturing the Same
专利号：12/996,721
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-07
专利名称：CAPACITORS STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURE
专利号：12/993,048
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-16
专利名称：Flash Memory Device and Manufacturing Method Thereof
专利号：13/062,024
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-03-03
专利名称：BODY CONTACT DEVICE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURE
专利号：13/058,996
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-02-14
专利名称：SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH A STRESSED LAYER IN THE CHANNEL AND METHOD FOR FOMRING THE SAME
专利号：12/996,673
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-07
专利名称：semiconductor structure and manufacturing method of the same
专利号：12/990,990
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-04
专利名称：MOSFET STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
专利号：12/990,714
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-02
专利名称：Method for Tuning the Work Function of a Metal Gate of the PMOS Device
专利号：12/990,735
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-02
专利名称：Method for Manufacturing a Full Silicidation Metal Gate
专利号：12/990,042
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-10-28
专利名称：High Performance Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same
专利号：12/995,030
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-29
专利名称：Method for Manufacturing A MOSFET with A Surrounding Gate of Bulk Si
专利号：12/912,531
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-10-26
专利名称：semiconductor structure and manufacturing method of the same
专利号：12/912,498
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-10-26
专利名称：High-performance Semiconductor Device and method of manufacturing the same
专利号：12/999,086
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-15
