专利
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201410340090.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-07-16
专利名称：自对准形成孔槽、电容的方法及孔槽、电容
专利号：201410360940.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-07-25
专利名称：半导体器件制造方法
专利号：201410007055.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-01-07
专利名称：一种半导体器件的制造方法
专利号：201410111507.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-03-24
专利名称：一种Fin-FET的沟槽隔离的形成方法
专利号：201410008441.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-01-08
专利名称：降低栅介质的泄露电流的方法
专利号：201310359917.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-08-16
专利名称：金属栅电极等效功函数调节方法
专利号：201310331607.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-08-01
专利名称：半导体器件制造方法
专利号：201310185048.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-05-17
专利名称：半导体器件制造方法
专利号：201310184801.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-05-17
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201310160772.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-05-23
专利名称：半导体器件制造方法
专利号：201310125650.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-04-11
专利名称：增强浅沟槽隔离应力的方法
专利号：201310125648.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-04-11
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201310184773.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-05-17
专利名称：沟槽形成方法和半导体器件的形成方法
专利号：201310412253.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-09-11
专利名称：半导体器件制造方法
专利号：201310185788.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-05-17