专利

专利名称：一种区熔硅单晶的拉制方法
专利号：201310378948.6
专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
时间：2013-04-13
专利名称：一种硅片自动化学腐蚀机的控制系统
专利号：201310058264.8
专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
时间：2013-04-12
专利名称：一种盖板式区熔热场线圈的加工方法
专利号：201310057878.4
专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
时间：2013-04-11
专利名称：一种提高中子嬗变掺杂或去应力硅单晶退火后少子寿命的方法
专利号：201310058265.2
专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
时间：2013-04-10
专利名称：气相掺杂区熔硅单晶的生产方法
专利号：201310058352.8
专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
时间：2013-04-09
专利名称：一种区熔气相掺杂硅单晶的生产方法
专利号：201310058517.1
专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
时间：2013-04-08
专利名称：一种八英寸硅单晶硅片多线切割机及其切割方法
专利号：201210497214.5
专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
时间：2013-04-07
专利名称：一种提高区熔硅单晶电阻率均匀性的行波磁场法
专利号：201210059753.0
专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
时间：2013-04-06
专利名称：一种用于去除硅片表面氧沉积物的硅晶片退火方法
专利号：201210061383.4
专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
时间：2013-04-05
专利名称：一种感应加热线圈温度分布的表征方法
专利号：ZL201110400787.7
专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
时间：2013-04-04
专利名称：一种使用异形多晶料生产硅单晶的区熔炉控制系统及控制方法
专利号：ZL201110308209.0
专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
时间：2013-04-03
专利名称：一种生产Φ6英寸区熔气掺硅单晶的热系统及工艺
专利号：ZL201110306527.3
专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
时间：2013-04-02
专利名称：一种拉制8英寸区熔硅单晶热系统及工艺
专利号：ZL201110306524.X
专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
时间：2013-04-01
专利名称：一种采用直径法控制区熔晶体自动生长方法及系统
专利号：ZL201110208855.x
专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
时间：2013-03-31
专利名称：一种化腐机电控系统
专利号：ZL201110084591.1
专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
时间：2013-03-30
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