专利
专利名称：一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
专利号：201210114142.1
专利名称：一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
专利号：201210114141.7
专利名称：接触孔的形成方法
专利号：201210138204.2
专利名称：连接孔的形成方法
专利号：201210114135.1
专利名称：使用应力记忆技术的半导体器件制造方法
专利号：201210208906.3
专利名称：碳化硅薄膜制作方法以及金属阻挡层制作方法
专利号：201210170352.2
专利名称：使用应力记忆技术的半导体器件制造方法
专利号：201210208961.2
专利名称：一种改善电镀铜工艺的方法
专利号：201110307986.3
专利名称：降低碳辅助注入工艺流程中多晶硅栅耗尽的方法
专利号：201210136027.4
专利名称：光刻套刻方法以及光刻方法
专利号：201210090905.3
专利名称：一种改善接触孔高度均匀性的方法
专利号：201210077743.X
专利名称：一种用于防止静电破坏可靠性样品的版图设计
专利号：201210066524.1
专利名称：一种清除氟硅玻璃表面结晶的方法
专利号：201210066528.X
专利名称：一种表征多层栅极中多晶硅电阻的方法
专利号：201210077724.7
专利名称：一种形成前金属介电质层的方法
专利号：201210064614.7
