专利

专利名称：一种形成前金属介电质层的方法
专利号：201210064615.1
专利权人：
时间：2012-03-13
专利名称：一种形成前金属介电质层的方法
专利号：201210064628.9
专利权人：
时间：2012-03-13
专利名称：一种形成前金属介电质层的方法
专利号：201210064629.3
专利权人：
时间：2012-03-13
专利名称：一种形成前金属介电质层的方法
专利号：201210064630.6
专利权人：
时间：2012-03-13
专利名称：一种形成前金属介电质层的方法
专利号：201210064633.X
专利权人：
时间：2012-03-13
专利名称：一种形成前金属介电质层的方法
专利号：201210064638.2
专利权人：
时间：2012-03-13
专利名称：含碳薄膜中碳元素的去除方法以及SiOC控挡片的再生方法
专利号：201210081514.5
专利权人：
时间：2012-03-23
专利名称：一种形成双应力刻蚀阻挡层及前金属介电质层的方法
专利号：201210064639.7
专利权人：
时间：2012-03-13
专利名称：一种增加浅沟槽隔离压应力提高NMOS电子迁移率的方法
专利号：201210047378.8
专利权人：
时间：2012-02-28
专利名称：一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法
专利号：201210047386.2
专利权人：
时间：2012-02-28
专利名称：一种用于铜互连冗余金属图形的插入算法
专利号：201210049162.5
专利权人：
时间：2012-02-28
专利名称：一种提高电阻测试精度的方法
专利号：201210047387.7
专利权人：
时间：2012-02-28
专利名称：改善金属互联工艺中多孔介质薄膜密封性的方法
专利号：201210048744.1
专利权人：
时间：2012-02-28
专利名称：一种铝线腐蚀缺陷的处理方法
专利号：201210050778.4
专利权人：
时间：2012-02-28
专利名称：改善W-CMP后平坦性的制造方法
专利号：201210048734.8
专利权人：
时间：2012-02-28
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