专利
专利名称：一种 FinFET 晶体管的制作方法
专利号：201110001128.6
专利权人：北京大学深圳研究院
时间：2011-02-05
专利名称：METHOD FOR FABRICATING GRAPHENE-BASED FIELD EFFECT TRANSISTOR
专利号：201110106410.0
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-04-27
专利名称：METHOD OF DEPOSITING GATE DIELECTRIC, METHOD OF PREPARING MIS CAPACITOR, AND MIS CAPACITOR
专利号：201110110338.9
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-04-29
专利名称：一种 MIS 电容的制作方法
专利号：201210075130.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-03-20
专利名称：一种高 k 介质薄膜的制备方法
专利号：201210075127.0
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-03-20
专利名称：在 InP 衬底上制备高 K栅介质薄膜和 MIS 电容的方法
专利号：201210265019.X
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-07-27
专利名称：一种在 GaAs 衬底上制备Hf 基高 K 栅介质薄膜的方法
专利号：201210149093.5
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-05-14
专利名称：在石墨烯表面制备栅介质的方法
专利号：201110240276.3
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-08-19
专利名称：一种一维尺度受限的石墨烯纳米带的制备方法
专利号：201110174062.0
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-06-24
专利名称：石墨烯基场效应晶体管的制备方法
专利号：201110106410.0
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-04-27
专利名称：一种基于 SOI 衬底的高介电常数材料栅结构及其制备方法
专利号：201010225694.0
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-07-13
专利名称：基于 SOI 材料的 MOS 电容器及其制作方法
专利号：201110192523.7
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-07-11
专利名称：一种改善高阻 SOI 衬底上高介电常数栅介质性能的方法
专利号：201010231639.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-07-20
专利名称：一种基于 SOI 衬底的高介电常数材料栅结构及其制备方法
专利号：201110192523.7
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-07-11
专利名称：一种界面钝化改善高 k栅介质性能的方法
专利号：201110445993.x
专利权人：北京有色金属研究总院
时间：2011-11-28
