专利
专利名称：一种非晶高 k 栅介质堆栈及其制备方法
专利号：201110408536.3
专利权人：北京有色金属研究总院
时间：2011-11-09
专利名称：一种铪基外延单晶高 k栅介质薄膜材料及其制备方法
专利号：201110081044.8
专利权人：北京有色金属研究总院
时间：2011-03-31
专利名称：一种铪基氧化物高 k 栅介质的能带调控方法
专利号：201010285394.1
专利权人：北京有色金属研究总院
时间：2010-09-16
专利名称：一种外延单晶 k 栅介质薄膜材料及其制备方法
专利号：201010529363.6
专利权人：北京有色金 属研究总院
时间：2010-10-28
专利名称：一种非晶三元高 k 栅介质薄膜材料及其制备方法
专利号：200910237251.0
专利权人：北京有色金
属研究总院
时间：2009-11-06
专利名称：一种等效氧化物厚度为亚纳米的 Ge 基 MOS 器件的制备方法
专利号：201110400661.X
专利名称：一种无水铪锆复合硝酸盐的合成方法及其在 ALD沉积高介电复合氧化物薄膜中的应用
专利号：201110009704.1
专利名称：一种高介电系数钛铝氧薄膜和制备方法及其应用
专利号：201010172490.0
专利名称：ALD 制备 GaAs 基 MOS 器件过程中的原位表面钝化方法
专利号：ZL 201110394348.X
专利名称：一种在锗衬底上低温原子层沉积 Hf 基栅介质薄膜的方法
专利号：ZL 201010147721.7
专利名称：调控 Ge 衬底 TixAlyO 薄膜间能带补偿的方法
专利号：ZL 201110087697.7
专利名称：一种 GaAs 基 MOS 器件的制备方法
专利号：L 201010530165.1
专利名称：一种清洗钝化 Ge 衬底表面的方法
专利号：ZL 201010017126.1
专利名称：GaN 基 MOSFET 及其制备方法
专利号：ZL 201010147721.7
专利名称：一种调控 GaAs 半导体与栅介质间能带补偿的原子层沉积 Al2O3/HfO2 方法
专利号：ZL200910233409.7
