专利
专利名称：一种信息高度定制化的专属提醒系统的实现方法
专利号：201310290322.X
专利权人：上海新储集成电路有限公司
时间：2013-07-10
专利名称：一种基于绝缘体上硅材料的双极型高压CMOS单多晶硅填充深沟道器件隔离工艺
专利号：201310291953.3
专利权人：上海新储集成电路有限公司
时间：2013-07-12
专利名称：一种在智能卡芯片内用嵌入式可编程逻辑门阵列实现数据加解密功能的方法
专利号：201310290339.5
专利权人：上海新储集成电路有限公司
时间：2013-07-10
专利名称：一种用低温裂片硅晶圆制备背照射CMOS图像传感器的方法
专利号：201310290307.5
专利权人：上海新储集成电路有限公司
时间：2013-07-10
专利名称：高速、高密度、低功耗的相变存储器单元及制备方法
专利号：14129960
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-12-28
专利名称：一种用于相变存储器的富锑高速相变材料及其制备方法和应用
专利号：14129957
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-12-28
专利名称：Sb-Te-Ti Phase-change memory material and Ti-Sb2Te3 phase-change memory material
专利号：13885894
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-12-26
专利名称：Method for fabricating a phase change memory
专利号：13157076
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-06-09
专利名称：Data readout circuit of change memory
专利号：13202963
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-06-24
专利名称：Phase change memory cell and fabrication method thereof
专利号：13202697
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-06-23
专利名称：Chemical mechanical polishing slurry
专利号：13202669
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-06-27
专利名称：Method of manufacturing a phase change semiconductor device and the phase change semiconductor device
专利号：13243862
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-09-23
专利名称：一种相变存储器的处理方法
专利号：201510669893.3
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2015-10-13
专利名称：一种相变存储器的编程测试方法
专利号：201510621821.1
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2015-09-25
专利名称：相变存储器及其形成方法
专利号：201510271594.4
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2015-05-25
