专利

专利名称：相变存储单元及其制作方法
专利号：201510152654.0
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2015-04-01
专利名称：掩膜式只读存储阵列、其制作方法以及存储器的制作方法
专利号：201510149093.9
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2015-03-31
专利名称：一种半导体器件及其制造方法、电子装置
专利号：201510033513.7
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2015-01-22
专利名称：相变存储器及其形成方法
专利号：201410598522.6
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2014-10-30
专利名称：半导体器件的制作方法及半导体器件
专利号：201410542129.5
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2014-10-14
专利名称：一种相变存储器及其制造方法和电子装置
专利号：201410452709.5
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2014-09-05
专利名称：相变存储器单元的形成方法
专利号：201410440261.5
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2014-09-01
专利名称：相变存储器单元及其形成方法
专利号：201410428932.6
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2014-08-27
专利名称：相变存储器及其形成方法
专利号：201410427770.4
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2014-08-27
专利名称：相变存储器的测试方法
专利号：201410415020.5
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2014-08-21
专利名称：相变存储器及其形成方法
专利号：201410322700.2
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2014-07-08
专利名称：相变存储单元测试结构及测试方法、相变存储器
专利号：201410314346.9
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2014-07-03
专利名称：半导体器件及其制作方法
专利号：201310681667.8
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2013-12-12
专利名称：一种相变存储器及其制造方法和电子装置
专利号：201410205887.8
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2014-05-15
专利名称：一种半导体器件及其制造方法和电子装置
专利号：201410219056.6
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2014-05-22
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