专利

专利名称：相变存储器的形成方法
专利号：201310365826.3
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2013-08-20
专利名称：相变存储器及其形成方法
专利号：201310365805.1
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2013-08-20
专利名称：相变存储器的形成方法
专利号：201310365803.2
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2013-08-20
专利名称：相变存储器及其形成方法
专利号：201310460164.8
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2013-09-29
专利名称：一种半导体器件及其制造方法和电子装置
专利号：201310474009.1
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2013-10-11
专利名称：一种纳米相变ESD器件、纳米相变ESD结构及其制备方法
专利号：201310275444.1
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2013-07-02
专利名称：相变存储器及其形成方法、相变存储器阵列
专利号：201310105912.0
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2013-03-28
专利名称：相变存储单元的制作方法
专利号：201210413488.1
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2012-10-25
专利名称：电极的制造方法、熔丝装置及其制造方法
专利号：201210483777.9
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2012-11-23
专利名称：相变存储器的制作方法
专利号：201210492217.X
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2012-11-27
专利名称：相变存储器及其形成方法
专利号：201210513905.X
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2012-12-04
专利名称：相变存储器及其形成方法
专利号：201010594846.4
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-12-17
专利名称：一种轻载降频模式控制系统
专利号：201610231262.8
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2016-04-14
专利名称：相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法
专利号：201610178596.3
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2016-03-25
专利名称：一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构
专利号：201610140946.7
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2016-03-11
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