专利
专利名称：相变存储器的形成方法
专利号：ZL 201110240343.1
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-08-19
专利名称：基于单类型存储器的嵌入式系统的动态存储管理方法
专利号：ZL 201210032785.1
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-02-14
专利名称：基于PCRAM主存应用的内存管理方法
专利号：ZL 201110300660.8
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-09-28
专利名称：一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法
专利号：ZL 201310534339.5
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-10-31
专利名称：一次性可编程存储器及其编程方法与读取方法
专利号：ZL 201310729248.7
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-12-26
专利名称：一种开关电源的过零检测电路
专利号：ZL 201410177999.7
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2014-04-29
专利名称：相变存储器的制作方法
专利号：ZL 201210492209.5
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2012-11-27
专利名称：相变存储器及其形成方法
专利号：ZL 201210287381.7
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2012-08-13
专利名称：相变存储器中的相变电阻及其形成方法
专利号：ZL 201110459550.6
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-12-31
专利名称：基于市电的开关功放电路
专利号：ZL 201310499989.0
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-10-22
专利名称：一种高速低功耗相变存储器单元及其制备方法
专利号：ZL 201310500580.6
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-10-22
专利名称：内存分配方法及系统
专利号：ZL 201310074180.3
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-03-08
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：ZL 201110295406.3
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-09-27
专利名称：三明治型刀片状电极的相变存储结构及其制备方法
专利号：ZL 201310370735.9
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-08-22
专利名称：相变存储器中的相变电阻的形成方法
专利号：ZL 201110459303.6
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-12-31