专利

专利名称：钨-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元制备方法
专利号：ZL 201210579396.0
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-12-27
专利名称：确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统
专利号：ZL 201310072068.6
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-03-06
专利名称：一种DRAM相变存储单元及用于替代DRAM的相变存储器
专利号：ZL 201110160543.6
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-06-15
专利名称：相变合金材料的无损刻蚀方法
专利号：ZL 201310018505.6
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-01-18
专利名称：相变存储器及其制造方法
专利号：ZL 201210053872.5
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2012-03-02
专利名称：相变存储器的形成方法
专利号：ZL 201110252705.9
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-08-30
专利名称：相变存储器的制造方法
专利号：ZL 201010267388.3
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-08-24
专利名称：相变随机存取存储器及制造方法
专利号：ZL 200910047644.5
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2009-03-16
专利名称：相变存储器及其制作方法
专利号：ZL 201210225978.9
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2012-07-02
专利名称：相变存储器、其底部接触结构及其各自制作方法
专利号：ZL 201210174591.5
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2012-05-30
专利名称：电可编程开关电路
专利号：ZL 201110100806.4
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-04-21
专利名称：基于非易失随机存储器的嵌入式设备的休眠及唤醒系统
专利号：ZL 201110186986.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-07-05
专利名称：研磨垫、使用该研磨垫的研磨装置及研磨方法
专利号：ZL 201110453496.4
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-12-29
专利名称：相变存储器及其制造方法
专利号：ZL 201210054246.8
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2012-03-02
专利名称：相变存储器及其形成方法
专利号：ZL 201110297157.1
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-09-27
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