专利
专利名称：掩膜版设计方法
专利号：200910050692.X
专利名称：半导体元器件的干蚀刻方法
专利号：200910046887.7
专利名称：阈值电压测量方法及系统
专利号：200910047035.x
专利名称：测量金属通孔电阻的集成电路测试器件及其制造方法
专利号：200910045824.X
专利名称：单级CMOS器件及其制造方法
专利号：200910054953.5
专利名称：半导体元器件的离子注入方法
专利号：200910045826.9
专利名称：图形转印方法
专利号：200910046712.6
专利名称：构造间隙壁的方法
专利号：200910082355.9
专利名称：浅沟槽及其制造方法和浅沟槽隔离结构
专利号：200910045977.4
专利名称：转印方法、用于转印的光掩膜及其制造方法
专利号：200910045601.3
专利名称：转印方法、用于转印的光掩膜及其制造方法
专利号：200910137622.8
专利名称：沟槽刻蚀的方法及量测沟槽深度的装置
专利号：200910084125.6
专利名称：半导体器件的制作方法
专利号：200910047437.X
专利名称：半导体器件的制作方法
专利号：200910140304.7
专利名称：栅极刻蚀的方法
专利号：201010104007.X
