专利

专利名称：浅沟槽隔离结构的制造方法
专利号：200910045822.0
专利权人：中芯国际
时间：1905-07-01
专利名称：在边缘光刻胶去除过程中减少晶圆缺陷的方法及晶圆结构
专利号：200910046708.X
专利权人：中芯国际
时间：1905-07-01
专利名称：在边缘光刻胶去除过程中减少晶圆缺陷的方法及晶圆结构
专利号：200910146319.4
专利权人：中芯国际
时间：1905-07-01
专利名称：铜薄膜形成方法
专利号：200910047646.4
专利权人：中芯国际
时间：1905-07-01
专利名称：浅沟槽隔离结构的制造方法
专利号：200910045971.7
专利权人：中芯国际
时间：1905-07-01
专利名称：金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法
专利号：200910046769.6
专利权人：中芯国际
时间：1905-07-01
专利名称：刻蚀方法
专利号：200910045972.1
专利权人：中芯国际
时间：1905-07-01
专利名称：半导体器件制造方法
专利号：200910046896.6
专利权人：中芯国际
时间：1905-07-01
专利名称：一种曝光方法
专利号：200910045701.6
专利权人：中芯国际
时间：1905-07-01
专利名称：静态随机存取存储器
专利号：200910056134.4
专利权人：中芯国际
时间：1905-07-01
专利名称：一种芯片失效分析方法
专利号：201010181477.6
专利权人：中芯国际
时间：1905-07-02
专利名称：芯片失效的数据分类分析方法及其装置
专利号：200910052548.x
专利权人：中芯国际
时间：1905-07-01
专利名称：半导体可变电容
专利号：200910047571.x
专利权人：中芯国际
时间：1905-07-01
专利名称：半导体元器件的清洗方法
专利号：200910045825.4
专利权人：中芯国际
时间：1905-07-01
专利名称：构造晶片浅沟道隔离槽的方法
专利号：200910084126.0
专利权人：中芯国际
时间：1905-07-01
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