专利
专利名称：具有隔腔和气流通路结构的半导体激光加工设备
专利号：201110188512.1
专利名称：一种超浅结深紫外激光退火设备中的屏蔽电极装置
专利号：201110056560.5
专利名称：一种激光加工中晶圆片定位误差的量测方法
专利号：201110056309.9
专利名称：一种高产率的真空激光处理装置及处理方法
专利号：201110056224.0
专利名称：使激光光束做大范围移动及扫描动作的机构
专利号：201110056223.6
专利名称：一种使用真空腔的激光处理装置和处理方法
专利号：201010621834.6
专利名称：一种高产率的激光热处理装置和方法
专利号：201010621833.1
专利名称：一种对冷却过程进行精确控制的激光热处理装置和方法
专利号：201010621832.7
专利名称：用于深紫外激光退火的三片式加热片台扫描装置
专利号：201010621831.2
专利名称：一种用于深紫外激光退火的加热片台扫描装置
专利号：201010567312.2
专利名称：一种采用梯形束斑扫描的激光退火装置和方法
专利号：201010567311.8
专利名称：硅片激光退火中多梯度温度场的装置和方法
专利号：201010517727.9
专利名称：一种黑硅钝化方法
专利号：PCT/CN2010/078462
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-05
专利名称：一种原位制备掺杂黑硅的方法
专利号：PCT/CN2010/076714
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-09-08
专利名称：一种黑硅太阳能电池表面的钝化方法
专利号：201110380033.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-11-25
