专利

专利名称：一种基于单晶硅衬底上多孔金字塔结构的制造方法
专利号：201010611615.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-28
专利名称：离子注入系统
专利号：201210567496.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-12-24
专利名称：一种离子注入剂量的检测方法
专利号：201210567495.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-12-24
专利名称：离子注入系统
专利号：201210566738.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-12-24
专利名称：一种超浅结均匀性的改善方法
专利号：201210544419.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-12-14
专利名称：一种半导体超浅结的制备方法
专利号：201210544389.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-12-14
专利名称：一种半导体离子注入均匀性的改善方法
专利号：201210544205.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-12-14
专利名称：一种等离子体浸没离子注入系统
专利号：201210533994.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-12-11
专利名称：一种离子注入系统
专利号：201210533308.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-12-11
专利名称：一种离子注入设备
专利号：201210533306.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-12-11
专利名称：用于施主-受主共掺氧化锌薄膜的制备方法
专利号：201210532001.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-12-11
专利名称：基于氮的施主-受主共掺氧化锌薄膜的制备方法
专利号：201210531536.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-12-11
专利名称：一种多层石墨烯的减薄方法
专利号：201210382524.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-10-10
专利名称：石墨烯晶片的制备方法
专利号：201210009208.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-01-12
专利名称：一种PIII工艺流程控制和在线剂量、均匀性检测装置
专利号：201110421859.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-15
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