专利

专利名称：电分析装置及其调节铁电畴极化反转速度的方法
专利号：201180002911.2
专利权人：江安全、刘骁兵
时间：2011-04-04
专利名称：一种表面阻态随电畴变化的存储器及其制备方法
专利号：201110054432.7
专利权人：江安全、陈闽川、惠文渊、刘骁兵
时间：2011-03-08
专利名称：一种电畴运动速度可调的脉冲电压测量法
专利号：201110000987.3
专利权人：江安全、刘骁兵
时间：2011-01-05
专利名称：一种快速电压扫描测量薄膜微分电容的方法
专利号：200910195455.2
专利权人：江安全、刘骁兵
时间：2009-09-10
专利名称：一种采用原子层淀积AlN/高k 栅介质双层结构的方法
专利号：201010503879.3
专利权人：谭葛明、王鹏飞、孙清清、张卫
时间：2010-10-12
专利名称：一种镧基高介电常数薄膜的制备方法
专利号：201010556701.5
专利权人：陈琳、孙清清、王鹏飞、张卫
时间：2010-11-24
专利名称：一种利用等离子体释放费米能级钉扎的方法
专利号：201010574126.1
专利权人：孙清清、杨雯、 王鹏飞、张卫、江安全
时间：2010-12-06
专利名称：一种应用于MOSFETs 器件的超高速Id-Vg 测试方法
专利号：201210000912.X
专利权人：王晨、卢红亮、孙清清、周鹏、王鹏飞、张卫
时间：2012-01-04
专利名称：低导通电LDMOS的结构及制作方法
专利号：201410853546.1
专利权人：
时间：2014-12-31
专利名称：JFET器件及其制造方法
专利号：201410269945.3
专利权人：
时间：2014-06-17
专利名称：LDMOS器件及其制造方法
专利号：201410262236.2
专利权人：
时间：2014-06-13
专利名称：BCD工艺中纵向双极型晶体管
专利号：201310652828.0
专利权人：
时间：2013-12-03
专利名称：BCD工艺中纵向双极型晶体管
专利号：201310652819.1
专利权人：
时间：2013-12-03
专利名称：BCD工艺中的隔离型横向齐纳二极管及其制造方法
专利号：201310064778.4
专利权人：
时间：2013-03-01
专利名称：BCD工艺中的隔离型齐纳二极管及其制造方法
专利号：201310058886.0
专利权人：
时间：2013-02-25
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