专利
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE WITH ALTERNATELY ARRANGED P-TYPE AND N-TYPE THIN SEMICONDUCTOR LAYERS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
专利号：US8178409B2
专利名称：A fabrication method of super junction structure
专利号：13/106,778
专利名称：A fabrication method of super junction structure
专利号：13/075017
专利名称：The method of forming trench type super junction and the character of the device forming by this method
专利号：13/167450
专利名称：METHOD FOR DEEP TRENCH ETCH AND FILL INCLUDES SUPER JUCTION SEMICONDUCTOR DEVICE
专利号：13/156,286
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE WITH ALTERNATING CONDUCTIVE TYPE REGIONS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
专利号：13/080,582
专利名称：ERMINAL STRUCTURE OF SUPERJUNCTION SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
专利号：13/076,289
专利名称：钳位二极管结构及其制备方法
专利号：201110022514.3
专利名称：耐高压的结型场效应管
专利号：201110021192.0
专利名称：高压LDMOS器件及其制造方法
专利号：201110022981.6
专利名称：BCD工艺中的NLDMOS器件及制造方法
专利号：201110283501.1
专利名称：高压P型LDMOS的制造方法
专利号：201110282838.0
专利名称：隔离型LDMOS的制造方法
专利号：201110009456.0
专利名称：高压隔离N型LDMOS器件的制造方法
专利号：201110305290.7
专利名称：高压器件的栅极电容模型
专利号：201110004409.7
