专利

专利名称：I线光刻机用双次光刻法实现0.18μm线宽图形的方法
专利号：ZL201110386481.0
专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
时间：2011-11-29
专利名称：一种SONOS结构中氮化硅的生长工艺
专利号：ZL201110217318.1
专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
时间：2011-08-01
专利名称：提高7350光刻胶热稳定性的方法
专利号：ZL201110217319.6
专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
时间：2011-08-01
专利名称：一种提高多晶薄膜电阻稳定性的方法
专利号：ZL201010589424.8
专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
时间：2010-12-15
专利名称：一种用于厚金属的光刻工艺
专利号：ZL201010589423.3
专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
时间：2010-12-15
专利名称：一种硅片激光打标后的清洗工艺
专利号：ZL201010589325.X
专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
时间：2010-12-15
专利名称：厚多晶电阻的饱和掺杂工艺
专利号：ZL201010547290.3
专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
时间：2010-11-16
专利名称：一种ONO电容结构的生长工艺
专利号：ZL201010547284.8
专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
时间：2010-11-16
专利名称：一种平坦化方法
专利号：ZL201010545902.5
专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
时间：2010-11-06
专利名称：一种MTM反熔丝单元结构及其制备方法
专利号：ZL201010191134.8
专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
时间：2010-06-04
专利名称：用于铜丝键合的金属压焊块厚铝工艺
专利号：ZL200910264970.1
专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
时间：2009-12-15
专利名称：一种基于SOI基底的反熔丝单元结构及制备工艺
专利号：Zl200910264969.9
专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
时间：2009-12-15
专利名称：一种PN结结深测试方法
专利号：PCT/CN2012/081780
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-09-21
专利名称：复用编码器的编译码存储装置及方法
专利号：PCT/CN2011/079912
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-21
专利名称：一种纠错SRAM的回写方法
专利号：201310643265.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-12-03
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