专利

专利名称：MOS一次可编程器件
专利号：200910057116.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-04-23
专利名称：OTP-ROM、其存储单元及其制造、编程和读取方法
专利号：200910057118.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-04-23
专利名称：OTP器件及制备方法
专利号：200910057114.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-04-23
专利名称：一种器件源漏区域的自对准金属硅化物形成方法
专利号：200910057078.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-04-16
专利名称：硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺
专利号：201310715286.7
专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
时间：2013-12-23
专利名称：可改善氧化层质量的清洗方法
专利号：201310696491.3
专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
时间：2013-12-18
专利名称：提高多层布线通孔光刻工艺容宽的方法
专利号：201310700465.3
专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
时间：2013-12-18
专利名称：用于改善SOI衬底表面损伤的方法
专利号：ZL201310719996.7
专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
时间：2013-12-23
专利名称：提高背面注入杂质激活率的技术
专利号：201310696715
专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
时间：2013-12-18
专利名称：高可靠性的低温栅氧化层生长工艺
专利号：201310696490.9
专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
时间：2013-12-18
专利名称：提高感光密度的光敏器件及其制造方法
专利号：ZL201310700509.2
专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
时间：2013-12-18
专利名称：高可靠可堆叠高速SOI二极管
专利号：201310699798.9
专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
时间：2013-12-18
专利名称：用于高温电路的金属互联结构及制造备方法
专利号：ZL201310699906.2
专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
时间：2013-12-18
专利名称：用于SONOS存储芯片批产工艺中的存储管多晶刻蚀方法
专利号：ZL201110385977.6
专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
时间：2011-11-29
专利名称：预非晶化注入的高温Ti自对准硅化物工艺
专利号：ZL201110385947.5
专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
时间：2011-11-29
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