专利

专利名称：抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
专利号：201310438818.7 
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-09-24
专利名称：抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
专利号：201310439034.6 
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-09-24
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201210117282.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-04-19
专利名称：一种半导体结构的制造方法
专利号：201210118939.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-04-20
专利名称：一种温控可充气真空辐射设备
专利号：201110252532.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-08-30
专利名称：一种电路辐照性能仿真方法及设备
专利号：201110226452.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-08-09
专利名称：一种模拟脉冲电流的方法以及装置
专利号：201110243696.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-08-24
专利名称：一种用于提高SOI NMOS器件背栅阈值电压的方法
专利号：201110209296.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-07-25
专利名称：一种用于提高SOI PMOS器件背栅阈值电压的方法
专利号：201110209346.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-07-25
专利名称：一种基于绝缘体上硅的PMOS辐射剂量计
专利号：201010531162.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-03
专利名称：一种对半导体器件进行提参建模的方法
专利号：201010145308.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-09
专利名称：一种采用环形栅结构的PMOS剂量计
专利号：200910082091.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-04-22
专利名称：基于恒流源的剂量率远程在线自动测试系统及方法
专利号：200910080056.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-03-18
专利名称：基于阈值变化的剂量率远程在线自动测试系统及方法
专利号：200910080059.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-03-18
专利名称：一种对半导体器件进行总剂量辐照提参建模的方法
专利号：201010145101.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-09
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