专利
专利名称：一种环形振荡器测试系统
专利号：201320833795.5
专利权人：中科华艺（天津）微电子有限公司
时间：2013-12-17
专利名称：一种用于锁相环的自跟踪开关型电荷泵
专利号：200910091962.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-09-02
专利名称：一种用于锁相环的自跟踪电流型电荷泵
专利号：200910238761.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-11-24
专利名称：一种快速锁定的电荷泵锁相环
专利号：200910238759.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-11-24
专利名称：一种基于共源极正反馈的双二阶单元
专利号：200910238765.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-11-24
专利名称：一种基于共漏极正反馈的双二阶单元
专利号：200910238766.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-11-24
专利名称：一种SOI NMOS总剂量辐照建模方法
专利号：201010251985.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-08-12
专利名称：一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管
专利号：201010531161.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-03
专利名称：一种SOI体电阻建模方法
专利号：201010217274.8
专利权人：中科瑞测（天津）科技有限公司
时间：2010-06-23
专利名称：一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法
专利号：201010157559.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-21
专利名称：晶体管测试装置及方法
专利号：200910308495.3
专利权人：北京中科新微特科技开发股份有限公司
时间：2009-10-20
专利名称：一种绝缘体上硅器件及其制备方法
专利号：200910305117.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-08-03
专利名称：电流灵敏放大器
专利号：200910305971.6
专利权人：北京中科新微特科技开发股份有限公司
时间：2009-08-24
专利名称：SOIH栅器件的建模方法
专利号：201210536882.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-01-06
专利名称：一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路
专利号：200910244523.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-30