专利
专利名称：异质结双极型晶体管及其制备方法
专利号：201110061777.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-03-15
专利名称：SiGe异质结双极型晶体管及其制备方法
专利号：201010164875.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-04-29
专利名称：硅锗异质结双极型晶体管
专利号：201010172662.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-05-12
专利名称：浅沟槽隔离结构的制造方法
专利号：201010241615.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-07-30
专利名称：一种静态随机存储器
专利号：201010164943.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-04-29
专利名称：半导体制造平台的泄漏检测装置、其使用方法及其平台
专利号：201010187339.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-05-28
专利名称：一种有效减少位错的方法及一种半导体器件
专利号：201010136670.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-03-25
专利名称：一种可提高布图效率和集成度的器件版图
专利号：201010102424.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-28
专利名称：一种减少读取干扰的静态随机存储器
专利号：201010187375.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-05-28
专利名称：电源电压检测电路
专利号：201010187351.x
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-05-28
专利名称：一种保护集成电路参数化单元的知识产权的方法
专利号：201010172672.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-05-12
专利名称：防止浅注入离子扩散的方法
专利号：201010172705.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-05-12
专利名称：一种双极型晶体管及其制作方法
专利号：201010153708.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-04-22
专利名称：氧化层制造方法
专利号：201010172661.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-05-12
专利名称：SCR静电保护器件
专利号：201010164926.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-04-29