专利
专利名称：MOS管栅极氧化层累积厚度的测量方法
专利号：201110061641.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-03-15
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201010519477.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-25
专利名称：半导体结构及其制备方法
专利号：201110035570.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-02-10
专利名称：轻掺杂漏形成方法及形成轻掺杂漏时应用的掩膜
专利号：201110009208.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-17
专利名称：基于绝缘体上硅的双极结型晶体管及其制造方法
专利号：201010518397.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-25
专利名称：降低介质电容的方法
专利号：201110035596.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-02-11
专利名称：外延薄膜厚度测量方法
专利号：201010278636.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-09-10
专利名称：提取双极结型晶体管的SPICE模型的方法
专利号：201010278666.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-09-10
专利名称：浅沟槽隔离结构的制作方法
专利号：201010518634.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-19
专利名称：提取电容器的栅极串联电阻值或者泄露电阻值的方法
专利号：201010250556.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-08-11
专利名称：数字逻辑电路
专利号：201010235632.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-07-23
专利名称：电压侦测电路
专利号：201010203953.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-06-09
专利名称：一种晶圆结构及其制造方法
专利号：201010235721.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-07-23
专利名称：功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制作方法
专利号：201010504587.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-12
专利名称：关键尺寸矫正方法及其装置
专利号：201010164869.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-04-29