专利

专利名称：一种分栅型埋层浮栅式的非易失性存储单元及其制造方法
专利号：CN 200910195419.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-09
专利名称：一种通孔刻蚀方法
专利号：200910195420.9
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-09
专利名称：电荷泵装置及其稳压方法
专利号：CN 200910199246.5
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-18
专利名称：电荷泵装置及其稳压方法
专利号：CN 200910199241.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-18
专利名称：I/O驱动电路
专利号：CN 200910199245.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-18
专利名称：防止闩锁的电路
专利号：200910199244.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-18
专利名称：防止闩锁的电路
专利号：200910199242.7
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-18
专利名称：防止闩锁的电路和方法
专利号：200910198493.3
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-05
专利名称：防止闩锁的电路和方法
专利号：200910198362.5
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-05
专利名称：I/O单元及集成电路芯片
专利号：200910198462.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-04
专利名称：静电放电保护装置
专利号：CN 200910198463.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-04
专利名称：静电放电保护装置
专利号：CN 200910198361.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-05
专利名称：一种静电放电保护系统
专利号：CN 200910196864.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-27
专利名称：一种静电放电保护电路
专利号：CN 200910196869.7
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-27
专利名称：一种ESD保护装置
专利号：CN 200910195956.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-17
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