专利
专利名称：遂穿氧化层的制造方法
专利号：200910197810.x
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-10-28
专利名称：金属层的制造方法
专利号：200910197109.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-10-13
专利名称：一种降低寄生电容的键合焊盘及其制备方法
专利号：CN 200910055193.X
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-07-22
专利名称：沟槽式场效应管及其制备方法
专利号：200910198989.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-18
专利名称：具有双超浅隔离结构的多点式绝缘硅晶体管
专利号：200910198058.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-10-30
专利名称：具有双超浅隔离结构的多点式硅晶体管
专利号：CN 200910198057.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-10-30
专利名称：一种电荷泵电路
专利号：CN 200910198988.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-18
专利名称：一种电容式电荷泵电路
专利号：200910198987.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-18
专利名称：一种存储器单元读取装置及读取方法
专利号：CN 200910198986.7
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-18
专利名称：存储阵列结构、嵌入式存储器及系统级芯片
专利号：CN 200910197169.X
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-10-14
专利名称：电荷泵电路
专利号：CN 200910197170.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-10-14
专利名称：一种垂直双扩散MOS晶体管测试结构
专利号：CN 200910195416.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-09
专利名称：一种垂直双扩散MOS晶体管测试结构
专利号：CN 200910195415.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-09
专利名称：用于同一图层曝光的掩膜版及其多重曝光方法
专利号：200910195417.7
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-09
专利名称：一种肖特基二极管结构
专利号：200910195418.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-09