专利
专利名称：静电放电保护电路和方法
专利号：CN 200910195568.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-07
专利名称：存储器和灵敏放大器
专利号：CN 200910195610.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-07
专利名称：电感元件及其形成方法
专利号：200910195619.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-07
专利名称：雪崩击穿二极管结构及制造方法
专利号：CN 200910195611.5
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-07
专利名称：电阻元件及其形成方法
专利号：200910195566.3
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-07
专利名称：一种静电放电保护装置
专利号：CN 200910195567.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-07
专利名称：源线偏置电路及其电压补偿单元
专利号：CN 200910195620.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-07
专利名称：位线调整方法和单元、灵敏放大器
专利号：CN 200910195612.x
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-07
专利名称：MIM电容建模方法及电容值获取方法
专利号：CN 200910195613.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-07
专利名称：化学机械抛光设备的研磨头装置
专利号：200910195614.9
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-07
专利名称：光刻胶的形成方法
专利号：CN 200910195615.3
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-07
专利名称：浅沟槽隔离结构的制造方法
专利号：CN 200910195616.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-07
专利名称：场效应晶体管制造方法
专利号：CN 200910195617.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-07
专利名称：用于测量栅介质层的电学厚度的接触焊盘及其测量结构
专利号：CN 200910052970.5
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-12
专利名称：一种厚光阻的多重曝光方法
专利号：200910055190.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-07-22