专利

专利名称：一种多阈值高压MOSFET器件
专利号：CN 200910052701.9
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-09
专利名称：一种钨栓塞的制备方法
专利号：200910052969.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-12
专利名称：一种多阈值场MOSFET和多阈值场MOSFET组
专利号：CN 200910052708.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-09
专利名称：一种CDSEM机台的校准方法
专利号：CN 200910052702.3
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-09
专利名称：一种降低寄生电容的接触焊盘及其制备方法
专利号：CN 200910049638.3
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-04-21
专利名称：一种静电放电保护二极管
专利号：200910049639.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-04-21
专利名称：用于扩大焦深参数工艺窗口的掩膜版、反掩膜版及其曝光方法
专利号：200910049637.9
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-04-21
专利名称：一种电感器件及其制备方法
专利号：CN 200910049636.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-04-21
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：CN 200910194453.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-08-17
专利名称：CMOS器件及制造方法
专利号：CN 200910194451.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-08-17
专利名称：二极管结构及制造方法
专利号：200910194448.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-08-17
专利名称：电感器的形成方法
专利号：CN 200910194450.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-08-17
专利名称：光学邻近校正方法
专利号：CN 200910194449.5
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-08-17
专利名称：接触孔形成方法
专利号：200910194452.7
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-08-17
专利名称：掺氟的氧化硅薄膜的形成方法
专利号：CN 200910194445.7
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-08-17
上一页