专利
专利名称：可编程只读存储器结构及其制作方法
专利号：200910052814.9
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-09
专利名称：一种防止布线金属凸起的方法
专利号：200910052541.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-04
专利名称：一种防止新鲜高温氧化表面光致抗蚀剂翘曲的方法
专利号：CN 200910052796.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-09
专利名称：一种采用双镶嵌工艺制造半导体元件的方法
专利号：200910052551.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-04
专利名称：CMOS图像传感器及其制造方法
专利号：200910052190.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-05-27
专利名称：淀积金属的方法
专利号：200910052538.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-04
专利名称：半导体中浅槽的制作方法
专利号：200910051545.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-05-19
专利名称：一种测量栅氧化层厚度的方法
专利号：CN 200910051544.x
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-05-19
专利名称：适用于离子注入工艺的光阻结构
专利号：200910052806.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-09
专利名称：金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
专利号：200910049794.x
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-04-22
专利名称：可擦除可编程只读存储器
专利号：200910052547.5
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-04
专利名称：光刻胶涂覆方法
专利号：200910049796.9
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-04-22
专利名称：一种电熔丝器件及其制造方法
专利号：200910053709.7
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-24
专利名称：片上系统芯片
专利号：200910049792.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-04-22
专利名称：一种OTP存储器的硅化金属电极制作方法
专利号：CN 200910049790.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-04-22