专利
专利名称：一种细线宽硅化物阻挡层图案形成方法
专利号：200910194582.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-08-25
专利名称：一种基于多晶硅发射极的双极晶体管
专利号：200910055368.7
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-07-24
专利名称：一种浅沟槽隔离结构的制作方法
专利号：CN 200910052797.9
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-09
专利名称：一种电源钳制静电保护电路
专利号：CN 200910052181.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-05-27
专利名称：具防止静电破坏的光罩
专利号：200910052549.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-04
专利名称：制作金属互连的连接孔结构工艺中的显影方法
专利号：200910052542.2
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-04
专利名称：一种电源总线
专利号：200910052182.6
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-05-27
专利名称：金属连线的制造方法
专利号：200910053707.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-24
专利名称：基于统计模型最差情况的建模方法
专利号：CN 200910055390.1
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-07-24
专利名称：在半导体基底上形成氮化钛层的方法
专利号：CN 200910051562.8
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-05-19
专利名称：绝缘源漏极MOS晶体管及其制造方法
专利号：CN 200910052183.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-05-27
专利名称：存储器编程方法
专利号：200910055370.4
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-07-24
专利名称：一种SRAM双位单元布线方法
专利号：200910053247.9
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-17
专利名称：半导体设计仿真领域中电路容差测量方法
专利号：CN 200910053010.0
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-12
专利名称：带场板结构的功率金属氧化物半导体器件
专利号：200910052184.5
专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
时间：2009-05-27