专利

专利名称：一种低功耗电路设计优化方法
专利号：201010214278.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-06-30
专利名称：提取寄生参数的方法及系统
专利号：201110326502.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-10-24
专利名称：用于模拟电路移植的电路优化方法和装置
专利号：201110361754.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-11-15
专利名称：从模拟电路网表自动生成模拟电路原理图的方法
专利号：200910092881.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-09-09
专利名称：一种冗余哑金属的填充方法及填充系统
专利号：201110344322.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-11-03
专利名称：一种优化集成电路版图电磁分布的方法
专利号：201010214250.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-06-30
专利名称：快速读写海量数据文件的方法
专利号：201010118129.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-03-04
专利名称：一种物理版图仿真自动控制寄生参数提取精度的方法
专利号：201010236533.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-26
专利名称：一种电路问题设计布图定位调整的方法
专利号：201010230166.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-19
专利名称：外基区下具有低电阻屏蔽层的双极晶体管及其制备方法
专利号：201310001441.9
专利权人：清华大学
时间：2013-01-04
专利名称：具有低电阻集电区的双极晶体管及其制备方法
专利号：201210560021.X
专利权人：清华大学
时间：2012-12-21
专利名称：隐埋硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法
专利号：201210558864.6
专利权人：清华大学
时间：2012-12-20
专利名称：金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法
专利号：201210559190.1
专利权人：清华大学
时间：2012-12-20
专利名称：局部氧化抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法
专利号：201210559040.0
专利权人：清华大学
时间：2012-12-20
专利名称：低电阻多晶连接基区全自对准双极晶体管及其制备方法
专利号：201210558553.X
专利权人：清华大学
时间：2012-12-20
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