专利

专利名称：具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法
专利号：201210551538.2
专利权人：清华大学
时间：2012-12-18
专利名称：包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管及其制备方法
专利号：201210535456.9
专利权人：清华大学
时间：2012-12-12
专利名称：带有隔离氧化层的侧向双极晶体管及其制备方法
专利号：201210535538.3
专利权人：清华大学
时间：2012-12-12
专利名称：侧向双极晶体管及其制备方法
专利号：201210535471.3
专利权人：清华大学
时间：2012-12-12
专利名称：外基区与集电区隔离的双极晶体管及其制备方法
专利号：201210536372.7
专利权人：清华大学
时间：2012-12-12
专利名称：双极晶体管及其制备方法
专利号：201210537229.X
专利权人：清华大学
时间：2012-12-12
专利名称：嵌入式外延外基区双极晶体管制备方法
专利号：201210431011.6
专利权人：清华大学
时间：2012-11-01
专利名称：METAL SILICIDE SELF-ALIGNED SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME
专利号：13/625233
专利权人：清华大学
时间：2012-09-24
专利名称：BIPOLAR TRANSISTOR WITH EMBEDDED EPITAXIAL EXTERNAL BASE REGION AND METHOD OF FORMING THE SAME
专利号：13/625211
专利权人：清华大学
时间：2012-09-24
专利名称：自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
专利号：201210160790.0
专利权人：清华大学
时间：2012-05-22
专利名称：自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
专利号：201210161177.0
专利权人：清华大学
时间：2012-05-22
专利名称：自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
专利号：201210160811.9
专利权人：清华大学
时间：2012-05-22
专利名称：自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
专利号：201210161096.0
专利权人：清华大学
时间：2012-05-22
专利名称：金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
专利号：201210161187.4
专利权人：清华大学
时间：2012-05-22
专利名称：金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
专利号：201210161189.3
专利权人：清华大学
时间：2012-05-22
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