专利
专利名称：提高CMOS晶体管抗辐照的方法、CMOS晶体管及集成电路
专利号：ZL200910088447.8
专利名称：一种分析CMOS器件位移损伤效应的方法
专利号：ZL200910243156.1
专利名称：ELETROSTATIC DISCHARGE PROTECTION DEVICE AND MEHTOD FOR FABRICATING THE SAME
专利号：13/201,370
专利名称：CMOS DEVICE FOR REDUCING CHARGE SHARING EFFECT AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：13/582,034
专利名称：METHOD FOR OBTAINING DISTRIBUTION OF CHARGES ALONG CHANNEL IN MOS TRANSISTOR
专利号：13/499,275
专利名称：阱电阻结构及其制造方法及绝缘体上硅器件
专利号：2014104077271.1
专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
时间：2014-08-18
专利名称：绝缘体上硅器件及其金属间介质层结构和制造方法
专利号：201410178535.8
专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
时间：2014-04-29
专利名称：半导体器件及其制作方法
专利号：201410045119.0
专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
时间：2014-02-24
专利名称：氮化硅薄膜的制造方法
专利号：14/411,999
专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
时间：2013-07-30
专利名称：用于测试六管SRAM的漏电流的半导体测试结构
专利号：201210252697.2
专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
时间：2012-07-20
专利名称：SRAM器件及其制造方法
专利号：201210025330.7
专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
时间：2012-02-06
专利名称：一种双栅氧半导体器件制造方法
专利号：PCT/CN2011/082395
专利权人：无锡华润上华半导体有限公司,无锡华润上华科技有限公司
时间：2011-11-18
专利名称：栅区刻蚀方法和系统
专利号：201010572274.X
专利权人：无锡华润上华半导体有限公司,无锡华润上华科技有限公司
时间：2010-12-03
专利名称：化学机械研磨的方法及装置
专利号：201010268623.9
专利权人：无锡华润上华半导体有限公司,无锡华润上华科技有限公司
时间：2010-09-01
专利名称：金属硅化物的清洗方法
专利号：201010208050.0
专利权人：无锡华润上华半导体有限公司,无锡华润上华科技有限公司
时间：2010-06-21
