专利

专利名称：分离SOI 器件中两种效应导致阈值电压漂移的方 法
专利号：201310157703.0
专利权人：北京大学
时间：2013-05-02
专利名称：一种多工作电压输入输出管脚单元电路
专利号：201310136185.4
专利权人：北京大学
时间：2013-04-18
专利名称：一种抗单粒子辐射的多栅器件及其制备方法
专利号：201310115866.2
专利权人：北京大学
时间：2013-04-03
专利名称：一种电源钳位静电放电保护电路
专利号：201210576053.9
专利权人：北京大学
时间：2012-12-26
专利名称：抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法
专利号：201210440187.8
专利权人：北京大学
时间：2012-11-07
专利名称：电源钳位ESD保护电路
专利号：201210306029.3
专利权人：北京大学
时间：2012-08-24
专利名称：一种提高LDMOS抗辐射特性的方法
专利号：201010280674.3
专利权人：北京大学
时间：2010-09-14
专利名称：一种估算集成电路辐射效应的方法
专利号：201010275725.3
专利权人：北京大学
时间：2010-09-08
专利名称：抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法
专利号：201010164464.8
专利权人：北京大学
时间：2010-04-30
专利名称：一种新型抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路
专利号：200910093411.9
专利权人：北京大学
时间：2009-09-30
专利名称：一种新型源漏结构的抗辐射SOI器件及制备方法
专利号：ZL201010128030.2
专利权人：北京大学
时间：2010-03-16
专利名称：高可靠性电源钳位ESD保护电路
专利号：ZL201110129544.4
专利权人：北京大学
时间：2011-05-18
专利名称：利用电流镜的电源钳位ESD保护电路
专利号：ZL201110166467.X
专利权人：北京大学
时间：2011-06-20
专利名称：ESD电源钳位电路
专利号：ZL201110201952.6
专利权人：北京大学
时间：2011-07-19
专利名称：一种电源钳位ESD保护电路
专利号：ZL201110108194.3
专利权人：北京大学
时间：2011-04-28
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