专利
专利名称：MICROELECTRONIC DEVICE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
专利号：13/378,114
专利权人：王鹏飞, 孙清清,丁士进, 张卫
时间：2011-12-14
专利名称：Semiconductor memory structure and its manufacturing method thereof
专利号：13/376,994
专利权人：王鹏飞, 林曦, 孙清清, 张卫
时间：2011-12-09
专利名称：Semiconductor Memory Device with a Buried Drain and Its Memory Array
专利号：13/322,640
专利权人：王鹏飞, 孙清清,丁士进, 张卫
时间：2011-11-28
专利名称：SILICON WAFER ALIGNMENT METHOD USED IN THROUGH-SILICON-VIA INTERCONNECTION
专利号：13/304,149
专利权人：王鹏飞, 孙清清,丁士进, 张卫
时间：2011-11-23
专利名称：一种钌薄膜的制备方法
专利号：201310405900.X
专利权人：张春敏，王鹏飞，等
时间：2013-09-09
专利名称：一种等离子增强原子层淀积工艺制备超薄钌薄膜的方法
专利号：201310197943.3
专利权人：张春敏，王鹏飞，等
时间：2013-05-25
专利名称：一种具有叠层结构的U型沟道隧穿晶体管及其制备方法
专利号：201310072169.3
专利权人：王玮，王鹏飞
时间：2013-03-06
专利名称：近红外可见光可调图像传感器
专利号：201210529104.2
专利权人：刘昕彦，王鹏飞，张卫
时间：2012-12-10
专利名称：一种用于铜互连的混合介质抗铜扩散阻挡层及其制造方法
专利号：201210362921.3
专利名称：一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法
专利号：201210360078.5
专利名称：一种基于碳纳米管的互连结构及其制造方法
专利号：201210359199.8
专利名称：一种用于铜互连工艺中的新型合金抗铜扩散阻挡层及其制造方法
专利号：201210356083.9
专利名称：一种使用45度角的三维隧穿磁场传感器及其制备方法
专利号：201210326371.X
专利权人：吴俊，张卫，王鹏飞，孙清清，周鹏
时间：2012-09-05
专利名称：一种使用45度斜角的三维隧穿磁场传感器及其制造方法
专利号：201210326025.1
专利权人：吴俊，张卫，王鹏飞，孙清清，周鹏
时间：2012-09-05
专利名称：一种使用45度角的三维各向异性磁场传感器及其制造方法
专利号：201210326021.3
专利权人：吴俊，张卫，王鹏飞，孙清清，周鹏
时间：2012-09-05
