专利

专利名称：一种使用45度斜角的三维各向异性磁场传感器及其制造方法
专利号：201210325761.5
专利权人：吴俊，张卫，王鹏飞，孙清清，周鹏
时间：2012-09-05
专利名称：一种各向异性磁阻器件的电路结构
专利号：201210324718.7
专利权人：吴俊，张卫，王鹏飞，孙清清，周鹏
时间：2012-09-05
专利名称：一种制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管及其制造方法
专利号：201210290113.0
专利权人：林曦，陈帆，刘梅，季伟，徐向明，王鹏飞，张卫
时间：2012-08-16
专利名称：一种集成阻变存储器的MOS晶体管结构及其制造方法
专利号：201210206510.5
专利权人：林曦，王鹏飞，孙清清，张卫
时间：2012-06-21
专利名称：一种集成阻变存储器的MOS晶体管结构的制造方法
专利号：201210206312.9
专利权人：林曦，王鹏飞，孙清清，张卫
时间：2012-06-21
专利名称：一种集成阻变存储器器件的隧穿晶体管结构及其制造方法
专利号：201210206222.X
专利权人：林曦，王鹏飞，孙清清，张卫
时间：2012-06-21
专利名称：栅控二极管半导体存储器器件的制造方法
专利号：201210061480.3
专利权人：王鹏飞，林曦，孙清清，张卫
时间：2012-03-11
专利名称：栅控二极管半导体器件的制造方法
专利号：201210061478.6
专利权人：王鹏飞，林曦，孙清清，张卫
时间：2012-03-11
专利名称：栅控二极管半导体存储器器件的制造方法
专利号：201210001675.9
专利权人：王鹏飞，刘晓勇，孙清清，张卫
时间：2012-01-05
专利名称：栅控二极管半导体存储器器件的制造方法
专利号：201210001549.3
专利权人：王鹏飞，曹成伟，孙清清，张卫
时间：2012-01-05
专利名称：栅控二极管半导体器件的制造方法
专利号：201210001500.8
专利权人：王鹏飞，曹成伟，孙清清，张卫
时间：2012-01-05
专利名称：栅控二极管半导体器件的制造方法
专利号：201210001479.1
专利权人：王鹏飞，刘晓勇，孙清清，张卫
时间：2012-01-05
专利名称：垂直沟道的隧穿晶体管的制造方法
专利号：201110410898.6
专利权人：王鹏飞，林曦，刘伟，孙清清，张卫
时间：2011-12-12
专利名称：一种U型沟道的隧穿场效应晶体管的制造方法
专利号：201110410865.1
专利权人：王鹏飞，林曦，刘伟，孙清清，张卫
时间：2011-12-12
专利名称：一种垂直结构纳米线隧穿场效应晶体管及其的制备方法
专利号：201110309367.8
专利权人：包微宁，曹成伟，王鹏飞，张卫
时间：2011-10-13
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