专利

专利名称：砷化镓表面自体氧化物清洗、纯化及淀积Al2O3介质的方法
专利号：201110285677.0
专利权人：孙清清等
时间：2011-09-23
专利名称：一种用于纳米集成电路的铜扩散阻挡层的制备方法
专利号：201110285348.6
专利权人：孙清清等
时间：2011-09-23
专利名称：一种提升铜互连技术中抗电迁移特性的方法
专利号：201110285221.4
专利权人：孙清清等
时间：2011-09-23
专利名称：一种基于全低温工艺的柔性透明1T1R的制造方法
专利号：201110285132.X
专利权人：孙清清等
时间：2011-09-23
专利名称：一种选择性淀积栅氧和栅电极的方法
专利号：201110285019.1
专利权人：孙清清等
时间：2011-09-23
专利名称：一种分离不同导电性能碳纳米管的方法
专利号：201110248086.6
专利权人：王鹏飞,张卫
时间：2011-08-26
专利名称：一种基于金属-绝缘体-半导体结构的量子效应器件
专利号：201110177230.1
专利权人：林曦，王鹏飞，孙清清，张卫
时间：2011-06-28
专利名称：基于电子隧穿的围栅型栅控金属-绝缘体器件
专利号：201110177226.5
专利权人：林曦，王鹏飞，孙清清，张卫
时间：2011-06-28
专利名称：一种基于电子隧穿的栅控金属-绝缘体器件
专利号：201110177198.7
专利权人：林曦，王鹏飞，孙清清，张卫
时间：2011-06-28
专利名称：一种基于电子隧穿的围栅型栅控金属-绝缘体器件
专利号：201110177163.3
专利权人：林曦，王鹏飞，孙清清，张卫
时间：2011-06-28
专利名称：一种半导体存储器结构及其控制方法
专利号：201110119859.0
专利权人：王鹏飞，孙清清，张卫
时间：2011-05-10
专利名称：一种半导体存储器结构及其制造方法
专利号：201110101360.7
专利权人：王鹏飞，林曦，孙清清，张卫
时间：2011-04-22
专利名称：一种由隧穿场效应晶体管组成的光探测器
专利号：201110094530.3
专利权人：王鹏飞，林曦，王玮，刘晓勇，张卫
时间：2011-04-15
专利名称：一种PLC光器件的制造方法
专利号：201110080065.8
专利权人：王鹏飞，张卫
时间：2011-03-31
专利名称：一种基于石墨烯层的晶体管
专利号：201110037951.2
专利权人：王鹏飞，林曦，孙清清，张卫
时间：2011-02-15
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