专利

专利名称：一种凹陷沟道的横向和纵向扩散型场效应晶体管及其制造方法
专利号：201010252925.7
专利权人：臧松干，王鹏飞，张卫
时间：2010-08-13
专利名称：使用铁电材料的凹陷沟道型晶体管及其制造方法
专利号：201010251137.6
专利权人：臧松干，王鹏飞，张卫
时间：2010-08-12
专利名称：一种垂直结构的存储器及其制造方法
专利号：201010231342.6
专利权人：王鹏飞，林曦，张卫
时间：2010-07-20
专利名称：凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的集成电路及其制造方法
专利号：201010221408.3
专利权人：臧松干，刘昕彦，王鹏飞，张卫
时间：2010-11-24
专利名称：凹陷沟道的碰撞电离型场效应晶体管及其制造方法
专利号：201010220542.1
专利权人：臧松干，刘昕彦，王鹏飞，张卫
时间：2010-07-08
专利名称：一种栅控PN场效应晶体管及其控制方法
专利号：201010209299.3
专利权人：王鹏飞，臧松干，孙清清，张卫
时间：2010-06-24
专利名称：一种纳米线逻辑门的实现方法
专利号：201010202300.X
专利权人：刘晗，顾晶晶，王鹏飞，张卫
时间：2010-06-17
专利名称：一种纳米线阻变存储器的实现方法
专利号：201010202275.5
专利权人：刘晗，顾晶晶，王鹏飞，张卫
时间：2010-06-17
专利名称：凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法
专利号：201010186373.4
专利权人：臧松干，王鹏飞，张卫
时间：2010-05-27
专利名称：一种采用Al2O3作为栅极侧墙的方法
专利号：201010179376.5
专利权人：徐岩，孙清清，张卫
时间：2010-05-20
专利名称：一种用硅通孔互连形成的电感环
专利号：201010179375.0
专利权人：王鹏飞，孙清清，张卫
时间：2010-05-20
专利名称：垂直沟道双栅隧穿晶体管及其制备方法
专利号：201010162453.6
专利权人：臧松干，王鹏飞，张卫
时间：2010-04-28
专利名称：一种凹陷沟道的PNPN场效应晶体管及其制备方法
专利号：201010162446.6
专利权人：臧松干，王鹏飞，张卫
时间：2010-05-27
专利名称：一种使用光电子注入进行电导调制的功率器件与方法
专利号：201010153505.3
专利权人：王鹏飞，张卫
时间：2010-04-22
专利名称：一种用于硅通孔互连的对准技术
专利号：2010101417466
专利权人：王鹏飞，孙清清，丁士进，张卫
时间：2010-04-08
上一页