专利

专利名称：一种互补栅控PNPN场效应晶体管及其制造方法
专利号：2010101417343
专利权人：王鹏飞，臧松干，张卫
时间：2010-04-08
专利名称：一种使用SiGe源极的凹陷沟道型栅控PNPN场效应晶体管
专利号：2010101320827
专利权人：臧松干，王鹏飞，张卫
时间：2010-03-25
专利名称：一种基于三五族元素的纳米线MOS晶体管及其制备方法
专利号：201010111275.4
专利权人：刘晗，顾晶晶，王鹏飞，张卫
时间：2010-02-11
专利名称：一种可用在柔性电路中的阻变存储器及其制备方法
专利号：201010111273.5
专利权人：刘晗，顾晶晶，王鹏飞，张卫
时间：2010-02-11
专利名称：一种半导体存储器结构及其制造方法
专利号：201010105581.7
专利权人：王鹏飞，孙清清，丁士进，张卫
时间：2010-02-04
专利名称：一种有机薄膜晶体管及其制备方法
专利号：201010105576.6
专利权人：刘晗，顾晶晶，王鹏飞，张卫
时间：2010-02-04
专利名称：一种石墨烯MOS晶体管的制备方法
专利号：201010101271.6
专利权人：刘晗，顾晶晶，王鹏飞，张卫
时间：2010-02-11
专利名称：一种自对准存储器的互连结构及其制造方法
专利号：201010023062.6
专利权人：王鹏飞，臧松干，孙清清，丁士进，张卫
时间：2010-01-21
专利名称：一种半导体存储器结构及其控制方法
专利号：201010023061.1
专利权人：王鹏飞，臧松干，孙清清，丁士进，张卫
时间：2010-01-21
专利名称：一种铜与低介电常数材料集成的方法
专利号：201010023060.7
专利权人：王鹏飞，孙清清，丁士进，张卫
时间：2010-01-21
专利名称：半导体电路结构及其制造方法
专利号：200910247549.X
专利权人：王鹏飞，臧松干，等
时间：2009-12-30
专利名称：一种采用自对准工艺的半导体存储器结构及其制造方法
专利号：200910247548.5
专利权人：王鹏飞，孙清清，丁士进，张卫
时间：2009-12-30
专利名称：一种隧穿场效应晶体管及其制造方法
专利号：200910247547.0
专利权人：王鹏飞，臧松干，等
时间：2009-12-30
专利名称：一种源极为肖特基结的隧穿晶体管结构及其制造方法
专利号：200910247546.6
专利权人：王鹏飞，吴东平，张卫
时间：2009-12-30
专利名称：一种互补隧穿晶体管结构及其制备方法
专利号：200910200625.1
专利权人：王鹏飞，孙清清，丁士进，张卫
时间：2009-12-24
上一页