专利
专利名称：使用窄禁带宽度材料源极的凹陷沟道隧穿晶体管
专利号：200910200624.7
专利权人：王鹏飞，孙清清，丁士进，张卫
时间：2009-12-24
专利名称：一种刻蚀铜的方法
专利号：200910200623.2
专利权人：王鹏飞，孙清清，丁士进，张卫
时间：2009-12-24
专利名称：一种自对准的垂直式半导体存储器件及存储器阵列
专利号：200910200622.8
专利权人：王鹏飞，孙清清，丁士进，张卫
时间：2009-12-24
专利名称：一种选择性淀积铜互连扩散阻挡层的方法
专利号：200910197204.8
专利权人：孙清清，王鹏飞，丁士进，张卫
时间：2009-10-15
专利名称：一种低介电常数介质与铜互联的结构和集成方法
专利号：200910196303.4
专利权人：王鹏飞，孙清清，丁士进，张卫
时间：2009-09-24
专利名称：Semiconductor device and method of making
专利号：13704615
专利名称：A semiconductor device and method of making
专利号：13704614
专利名称：A transistor and method of making
专利号：13704613
专利名称：Metal silicide thin film, ultra-shallow junctions,semiconductor device and method of making
专利号：13704601
专利名称：Ultra-shallow junction semiconductor field-effect transistor and method of making
专利号：13704598
专利名称：An asymmetric gate MOS device and method of making
专利号：13635071
专利名称：A FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MAKING
专利号：13642286
专利名称：An Asymmetric Source-Drain Field-Effect Transistor and Method of Making
专利号：13641086
专利名称：A BODY CONTACT SOI TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD OF MAKING
专利号：13583923
专利名称：Nano-MOS Devices and Method of Making
专利号：13519315
