专利

专利名称：一种晶体管及其制造方法
专利号：201210544375.5
专利权人：复旦大学
时间：2012-12-14
专利名称：超浅结半导体场效应晶体管及其制备方法
专利号：201210537421.9
专利权人：复旦大学
时间：2012-12-12
专利名称：金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法及半导体器件
专利号：201210536723.4
专利权人：复旦大学
时间：2012-12-12
专利名称：具有纳米线结构的电容器及其制备方法
专利号：201210144846.3
专利权人：复旦大学
时间：2012-05-10
专利名称：一种肖特基二极管
专利号：201110179347.3
专利权人：复旦大学
时间：2011-06-29
专利名称：金属铜与镍硅化合物的叠层接触结构及其制备方法
专利号：201110096681.2
专利权人：复旦大学
时间：2011-04-18
专利名称：具有尖峰底状电极的有机阻变存储器及其制备方法
专利号：201110068781.4
专利权人：复旦大学
时间：2011-03-28
专利名称：一种非对称栅MOS器件及其制备方法
专利号：201110106296.1
专利权人：复旦大学
时间：2011-04-26
专利名称：纳米MOS器件制备方法及纳米MOS器件
专利号：201110106317.X
专利权人：复旦大学
时间：2011-04-26
专利名称：一种MOS器件及其制备方法
专利号：201110106298.0
专利权人：复旦大学
时间：2011-04-26
专利名称：纳米线结构的制备方法
专利号：201110106336.2
专利权人：复旦大学
时间：2011-04-26
专利名称：金属半导体化合物薄膜和DRAM存储单元及其制备方法
专利号：201110063882.2
专利权人：复旦大学
时间：2011-03-17
专利名称：超长半导体纳米线结构及其制备方法
专利号：201110064599.1
专利权人：复旦大学
时间：2011-03-17
专利名称：金属半导体化合物薄膜的制备方法
专利号：201110063760.3
专利权人：复旦大学
时间：2011-03-17
专利名称：一种场效应晶体管的制备方法
专利号：201110009523.9
专利权人：复旦大学
时间：2011-01-17
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