专利
专利名称：一种晶体管的制造方法
专利号：201010613768.8
专利名称：一种场效应晶体管及其制备方法
专利号：201010197984.9
专利名称：一种不对称型源漏场效应晶体管的制备方法
专利号：201010162413.1
专利名称：一种体区接触的SOI晶体管结构及其制备方法
专利号：201010153461.4
专利名称：一种半导体器件结构及其制备方法
专利号：201010148285.5
专利名称：一种不对称型源漏场效应晶体管及其制备方法
专利号：201010132084.6
专利名称：电荷俘获非挥发半导体存储器及其制造方法
专利号：201010125663.8
专利名称：电荷俘获非挥发半导体存储器及其制造方法
专利号：201010125661.9
专利名称：一种动态随机存储器的阵列结构及其制备方法
专利号：201010105582.1
专利名称：电荷俘获非挥发半导体存储器及其制造方法
专利号：201010103437.X
专利名称：一种混合结型源漏场效应晶体管及其制备方法
专利号：201010023067.9
专利名称：PN结和肖特基结混合式二极管及其制备方法
专利号：201010023066.4
专利名称：浮栅非挥发半导体存储器及其制造方法
专利号：201010022877.2
专利名称：形成超薄可控的金属硅化物的方法
专利号：200910247379.5
专利名称：一种相变存储器的阵列结构及其制备方法
专利号：200910247551.7
