专利
专利名称：一种自供电低功耗集成电路芯片及其制备方法
专利号：200910247550.2
专利名称：一种金属硅化物埋层的结构及其形成方法
专利号：200910201268.0
专利名称：一种有效调节TiNx金属栅功函数的方法
专利号：201010213747.7
专利名称：一种自供电集成电路芯片及其制备方法
专利号：200910199879.6
专利名称：一种肖特基隧穿晶体管结构及其制备方法
专利号：200910199045.5
专利名称：自对准的隧穿场效应晶体管的制备方法
专利号：200910197859.5
专利名称：一种混合源漏场效应晶体管及其制备方法
专利号：200910196982.5
专利名称：一种在衬底上选择性原子层淀积薄膜的方法
专利号：200910196674.2
专利名称：METHOD FOR FORMING FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR
专利号：14/347,930
专利名称：FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING THE SAME
专利号：14/110,555
专利名称：Si-Ge-Si Semiconductor Structure Having Double Compositionally-Graded Hetero-Structures and Method for Forming the Same
专利号：13/953,850
专利名称：METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR GATE STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR GATE STRUCTURE
专利号：13/980,803
专利名称：MEMORY STRUCTURE AND METHOD FOR FOMRING SAME
专利号：13/983,379
专利名称：SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH BERYLLIUM OXIDE
专利号：13/816,164
专利名称：SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH RARE EARTH OXIDE
专利号：13/816,173
