专利
专利名称：开口的填充方法
专利号：201010590432.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-15
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201010577852.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-08
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201010571659.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-29
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201010553050.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-22
专利名称：一种半导体器件及其形成方法
专利号：201010512128.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-10-13
专利名称：金属互连结构及金属层间通孔和互连金属线的形成方法
专利号：201010501703.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-09-30
专利名称：一种半导体器件及其形成方法
专利号：201010257006.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-08-18
专利名称：3D集成电路及其制造方法
专利号：201010189140.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-05-24
专利名称：存储器件及其制造方法
专利号：201010157573.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-21
专利名称：GATE STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
专利号：1202354.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-02-25
专利名称：Semiconductor Device Structure and Method for Manufacturing the Same
专利号：1202338.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-02-25
专利名称：Substrate for Integrated Circuit and Method for Forming the Same
专利号：1202348.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-02-10
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
专利号：1202438.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-02-10
专利名称：SUBSTRATE STURCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
专利号：1202556.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-02-15
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
专利号：1202436.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-02-13
