专利
专利名称：半导体制造方法
专利号：201110095459.0
专利名称：晶源传送装置以及晶源传送方法
专利号：201110077731.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-03-29
专利名称：半导体制造方法
专利号：201110077477.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-03-29
专利名称：热稳定性镍基硅化物源漏MOSFETs及其制造方法
专利号：201110074604.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-03-25
专利名称：改进MOSFETs镍基硅化物热稳定性的方法
专利号：201110074395.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-03-25
专利名称：一种研磨垫清洗方法和装置
专利号：201110066718.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-03-18
专利名称：穿硅通孔结构及其形成方法
专利号：201110036024.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-02-11
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110021062.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-01-18
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110020536.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-01-18
专利名称：用于超浅结注入的离子源装置
专利号：201110004958.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-01-11
专利名称：提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性的方法
专利号：201110005057.7
专利名称：提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性的方法
专利号：201010607041.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-27
专利名称：自对准金属硅化物的形成方法
专利号：201010599252.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-21
专利名称：金属前介质层的平坦化方法
专利号：201010587500.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-13
专利名称：带有存储功能的MOS器件及其形成方法
专利号：201010579748.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-08