专利
专利名称：半绝缘柱超结MOSFET结构
专利号：200910244530.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-30
专利名称：带有器件隔离区的半导体结构及其制造方法
专利号：201310282901.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-07-06
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201310282657.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-07-06
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201310282319.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-07-06
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201310286654
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-07-09
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201310286637.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-07-09
专利名称：光刻电磁对准
专利号：201310286469.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-07-09
专利名称： 晶片对准方法和装置
专利号：201310285901.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-07-09
专利名称：鳍型场效应晶体管及其制造方法
专利号：201310286545.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-07-09
专利名称：测量MOS器件侧墙厚度相关参数的结构和方法
专利号：201310286669.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-07-09
专利名称：堆叠纳米线制造方法
专利号：201310269609.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-06-28
专利名称：浅沟槽隔离结构、包含其的晶体管及其制作方法
专利号：201310255287.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-06-25
专利名称： 一种半导体结构及其制造方法
专利号：2013102247131
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-06-06
专利名称：堆叠纳米线制造方法
专利号：2013101100746
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-03-29
专利名称：半导体器件制造方法
专利号：201310110082
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-03-29